收藏本站
IXTN32P60P
-32
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = -10V
-70
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = -10V
-28
-24
-20
- 7V
- 6V
-60
-50
- 7V
- 6V
-40
-16
-30
-12
-8
- 5V
-20
-4
0
-10
0
- 5V
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
0
-3
-6
-9
-12
-15
-18
-21
-24
-27
-30
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = -16A vs.
Junction Temperature
-32
V GS = -10V
2.4
-28
-24
-7V
- 6V
2.2
2.0
V GS = -10V
1.8
-20
-16
-12
-8
- 5V
1.6
1.4
1.2
1.0
I D = - 32A
I D = -16A
0.8
-4
0
0.6
0.4
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = -16A vs.
Drain Current
-36
-32
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.0
T J = 125oC
-28
1.8
-24
1.6
1.4
V GS = -10V
-20
-16
-12
1.2
-8
1.0
0.8
T J = 25oC
-4
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T J - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTN46N50L MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
IXTN550N055T2 MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
IXTN60N50L2 MOSFET N-CH 53A 500V SOT-227
IXTN62N50L MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227
IXTN90N25L2 MOSFET N-CH 90A 250V SOT-227
IXTP02N50D MOSFET N-CH 500V 200MA TO-220
IXTP05N100M MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
IXTP08N120P MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220
相关代理商/技术参数
IXTN36N45 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 450V V(BR)DSS | 36A I(D)
IXTN36N50 功能描述:MOSFET 36 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTN36N50 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
IXTN40P50P 功能描述:MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTN44N50L 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTN46N50L 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTN550N055T2 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXTN58N50 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET